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村田GQM電容在PA電路的高溫環境使用

2018-10-23| 發布者: 深圳市福正升電子有限公司

摘要:GQM系列(X8G特性) 高Q電容保證在150℃用于DC切割和匹配 。一種電容器,可在PA電路附近和高溫環境中的溫度超過125℃時使用。...

GQM系列(X8G特性)  高Q電容保證在150℃用于DC切割和匹配 。一種電容器,可在PA電路附近和高溫環境中的溫度超過125℃時使用。


電路板和部件的發熱可以提高基站PA的溫度。特別地,放大器晶體管的發熱可以增加,并且附近定位的DC切割和匹配電容器可以加熱。另外,當接收放大的電時,電容器本身的發熱會增加。


常規措施及其局限性


用于直流切割和匹配的大多數高Q電容在工作溫度范圍內的上限為125℃。通過有效利用保證在125℃的電容器,通過散熱器設計散熱來降低環境溫度,并通過設計使用直流截止電容器來控制電容器的發熱,解決了這個問題。

隨著最近提供多個輸出(增加的Tx)的趨勢,部件的數量增加,并且隨著基站的尺寸減小,用于散熱器以散熱的空間較小。另外,隨著使用頻帶變高,部件的發熱增加,并且電路設計在控制電容器的發熱和環境溫度最大為125℃方面達到極限。


村田制作所提供一系列高Q電容,包括傳統的125℃保證電容(C0G特性)和150℃保證電容(X8G特性)。這減少了對DC切割和匹配電容器的環境溫度的限制,從而提高了設計自由度。

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