據有關寬帶隙半導體市場新的研究報告顯示，全球寬帶隙半導體市場預計在2027年將達到US $ 3億的價值，在?22％的復合年增長率擴張，從2019到 2027年。根據報告認為，在預測期內，全球寬帶隙半導體市場將繼續受到一系列宏觀經濟和特定市場因素的影響。

與市場上其他可用的半導體材料相比，寬帶隙（WBG）半導體的使用使功率半導體器件更小，更快，更可靠，更高效。寬帶隙半導體材料提供的重量輕，使用壽命長和能帶隙更大的優點使它們在全球范圍內的不同類型的功率半導體器件中得到優先使用。

廣泛的商業可用性，WBG半導體功率器件的價格下降以及對用于電信設備，計算機，軍用器件，電動汽車和光伏發電等應用的氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的需求不斷增長逆變器有望在不久的將來帶動全球寬帶隙半導體市場。

預計在預測期內，寬帶隙半導體材料投資的增加及其在功率半導體行業中的采用將推動全球寬帶隙半導體市場的增長。

能源和公用事業最終利用行業占主導地位

該報告詳細介紹了全球寬帶隙半導體市場的細分情況：就材料（碳化硅[SiC]，氮化鎵[GaN]，金剛石等），應用（混合動力/電動汽車，光伏逆變器，鐵路牽引，風力渦輪機，電源，電機驅動器，UPS等）和最終用途行業（汽車，航空航天與國防，IT與消費者，能源與公用事業等）。全球市場也已根據地區（北美，歐洲，亞太地區，南美以及中東和非洲）進行了細分。

在這些材料中，碳化硅（SiC）細分市場在2018年占全球寬帶隙半導體市場的領先份額。預計在預測期內，該細分市場將保持其在全球寬帶隙半導體市場的主導地位。

混合動力/電動汽車的應用領域預計將引領全球寬帶隙半導體市場，并在預測期內以高CAGR的速度擴展。

能源與公用事業是全球寬帶隙半導體市場中極具吸引力的最終用途行業。就市場規模而言，它是最大的細分市場。預計該部門將在預測期內以快速的速度增長。此外，預計在預測期內，不同功率半導體制造商對寬帶隙半導體材料的采購將增加，從而帶動全球寬帶隙半導體市場。

亞太地區是利潤豐厚的寬帶隙半導體市場

由于該地區較早采用寬帶隙半導體，預計在預測期內，亞太地區將占據全球寬帶隙半導體市場的最大份額。亞太地區和北美占有相當大的市場份額。預計在預測期內，這些地區將為寬帶隙半導體市場提供豐厚的機會。

中國在2018年主導了亞太地區的寬帶隙半導體市場。預計該國的寬帶隙半導體市場將在2019年至2027年期間以顯著的復合年增長率增長。亞太地區的不同政府組織正在增加其研發支出適用于先進的功率半導體器件。反過來，這有望促進該地區的寬帶隙半導體市場。此外，對電動汽車的需求上升以及對5G支持設備的高度關注是在預測期內可能推動寬帶隙半導體市場的一些主要驅動因素。

投資新產品以推動寬帶隙半導體市場

該報告提供了在全球寬帶隙半導體市場中運作的領先企業的概況。它們是Cree，Inc.，GeneSiC Semiconductor Inc.，Infineon Technologies AG，Panasonic Corporation，ST Microelectronics NV，ON Semiconductor，ROHM Semiconductor，OSRAM Opto Semiconductors GmbH，TT Electronics，Qorvo，Inc .和Broadcom Inc .。

ROHM Semiconductor是寬帶隙半導體（SiC和GaN）材料的領先制造商。該公司于2019年2月開始大規模生產SiC功率元件，例如SiC肖特基二極管和SiC平面MOSFET。該公司宣布計劃在先進機器的幫助下升級其現有的WBG半導體生產設施，預計將在年底完成2020年。

2019年8月，安森美半導體在其產品線中推出了寬帶隙（WBG）硅碳（SiC）MOSFET。該公司預計，由于WBG半導體器件在汽車電氣系統和電動汽車等應用中的使用量增加，因此新產品在不久的將來會出現很高的需求。